Монокристаллическая силиконовая Вафля-односторонняя Полировка-N/P опционально-сопротивление опционально

Принимаем настройки размера 。

Материаловедение: высокочистый силиконсион кристаллическая подложка, N/POptional тип, сопротивление: 0.0001-100Europe, опционально.

Кремниевая пластина с оксидного слоя

Узор роста: прямой

Кристалл в сторону: [111]/[100]/[110];

Плоская цельная степень: <1 микрон (измерительный комбинезон)

Шероховатость поверхности: 5 Angstrom (измерительная Поверхностная микроструктура);

Способ использования: 1. PVD/CVDCoating как подложка;

2. Используется asXRD (XX-ray Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIRInfra-red,

Флуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов;

3. носитель образцов для синхротронного радиационного эксперимента;

4. основание, выращенное молекулярным лучом эпитакси;

5. Технология полупроводниковой литографии и так далее.

'